全球最大記憶體制造廠南韓三星電子位于華城的工廠在元旦發(fā)生意外，引起全球緊張，三星在華城生產(chǎn)DRAM和儲存型閃存（NAND Flash），以及采用極紫外光（EUV）的邏輯代工三大事業(yè)，盡管三星表示，會在最短時間內(nèi)恢復(fù)生產(chǎn)，但市場正密切注意后續(xù)復(fù)工，預(yù)期這項停工恐助漲DRAM和NAND Flash本季漲勢。

外電報導(dǎo)，三星位于南韓華城的工廠，在跨年夜發(fā)生短暫跳電，華城廠區(qū)內(nèi)的部分工廠短暫停電，后來立即恢復(fù)供電，但三星仍決定停工進行產(chǎn)線檢查，在了解受損程度后，希望在最短時間內(nèi)恢復(fù)生產(chǎn)。推估至少要二到三天。

外電透露，三星華城廠區(qū)這次跳電事件，影響的包括生產(chǎn)DRAM 的 Line 12 產(chǎn)線，和生產(chǎn)NAND Flash 的 Line 13 產(chǎn)線，另外，還有采用 EUV 技術(shù)生產(chǎn)邏輯芯片。

市場人士估計，三星華城的DRAM和NAND Flash產(chǎn)線，雖然設(shè)立已有一段時間，但也是三星DRAM和NAND Flash主力產(chǎn)線，至于采用EUV先進設(shè)備的產(chǎn)線，制程較新，影響更為嚴重。

至于為何發(fā)生跳電的原因，目前并不清楚。一般而言，晶圓廠的供電系統(tǒng)都設(shè)計有兩套回路，分別由兩個不同的變電所來供電，降低因意外而發(fā)生跳電的風(fēng)險。不過，如果發(fā)生大規(guī)模的天然災(zāi)害，例如地震而導(dǎo)致電廠停止運轉(zhuǎn)的情況，這部分就另當(dāng)別論。因此，這次南韓三星華城廠區(qū)在無發(fā)生重大天然災(zāi)害情況，卻發(fā)生跳電，這部分也是三星內(nèi)部必須停工檢查的主要關(guān)鍵。

不過，去年日本東芝位于三重縣的廠區(qū)因地震發(fā)生跳電，經(jīng)歷長達半年才恢復(fù)生產(chǎn)，造成市場NAND Flash供貨短缺，去年7月NAND Flash現(xiàn)貨止跌急漲，去年第4季和今年第1季價格也喊漲，三星華城廠跳電，如果停工期拉長，也勢必影響整體DRAM和NAND Flash供應(yīng)。

來源：經(jīng)濟日報